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ON Semiconductor - FQPF70N10

KEY Part #: K6401921

FQPF70N10 価格設定（USD） [30363個在庫]

  • 1 pcs$1.35736
  • 1,000 pcs$0.34279
品番:
FQPF70N10
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220F.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FQPF70N10 electronic components. FQPF70N10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQPF70N10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQPF70N10 製品の属性

品番 : FQPF70N10
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 100V 35A TO-220F
シリーズ : QFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 35A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 23 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs（最大） : ±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 3300pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 62W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220F
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

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