IRFD014PBF 価格設定（USD） [96413個在庫]
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- 品番:
- IRFD014PBF
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix IRFD014PBF electronic components. IRFD014PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFD014PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFD014PBF 製品の属性
品番 :
IRFD014PBF
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.7A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
200 mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
11nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
310pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.3W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
パッケージ/ケース :
4-DIP (0.300", 7.62mm)
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