Vishay Siliconix - IRF640PBF

KEY Part #: K6406461

IRF640PBF 価格設定(USD) [52836個在庫]

  • 1 pcs$0.73167
  • 10 pcs$0.64889
  • 100 pcs$0.51267
  • 500 pcs$0.39760
  • 1,000 pcs$0.29692

品番:
IRF640PBF
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ, パワードライバーモジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix IRF640PBF electronic components. IRF640PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF640PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF640PBF 製品の属性

品番 : IRF640PBF
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 18A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1300pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 125W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません