TSM120NA03CR RLG 価格設定（USD） [454516個在庫]
- 1 pcs$0.08138
- 品番:
- TSM120NA03CR RLG
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM120NA03CR RLG electronic components. TSM120NA03CR RLG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM120NA03CR RLG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TSM120NA03CR RLG 製品の属性
品番 :
TSM120NA03CR RLG
メーカー :
Taiwan Semiconductor Corporation
説明 :
MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
39A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
11.7 mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
9.2nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
562pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
33W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PDFN (5x6)
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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