Infineon Technologies - AUIRFL024NTR

KEY Part #: K6420189

AUIRFL024NTR 価格設定(USD) [168782個在庫]

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品番:
AUIRFL024NTR
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRFL024NTR 製品の属性

品番 : AUIRFL024NTR
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 55V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.8A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 75 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 18.3nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 400pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-223
パッケージ/ケース : TO-261-4, TO-261AA

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