TPCC8008(TE12L,QM) 価格設定（USD） [214104個在庫]
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- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8008(TE12L,QM) electronic components. TPCC8008(TE12L,QM) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPCC8008(TE12L,QM), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPCC8008(TE12L,QM) 製品の属性
品番 :
TPCC8008(TE12L,QM)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
シリーズ :
U-MOSIV
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
25A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6.8 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1A
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1600pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
700mW (Ta), 30W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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