Microsemi Corporation - APTGT600A60G

KEY Part #: K6533160

APTGT600A60G 価格設定(USD) [523個在庫]

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品番:
APTGT600A60G
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT600A60G 製品の属性

品番 : APTGT600A60G
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Half Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 600V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 700A
パワー-最大 : 2300W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 1.8V @ 15V, 600A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 750µA
入力容量(Cies)@ Vce : 49nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : -40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : SP6
サプライヤーデバイスパッケージ : SP6

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