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ON Semiconductor - FDMD8280

KEY Part #: K6523172

FDMD8280 価格設定（USD） [61341個在庫]

  • 1 pcs$0.64062
  • 3,000 pcs$0.63743
品番:
FDMD8280
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDMD8280 electronic components. FDMD8280 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMD8280, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMD8280 製品の属性

品番 : FDMD8280
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 11A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 8.2 mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 44nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 3050pF @ 40V
パワー-最大 : 1W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 12-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : 12-Power3.3x5

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