IXYS - IXFP20N50P3

KEY Part #: K6397843

IXFP20N50P3 価格設定(USD) [26492個在庫]

  • 1 pcs$1.70992
  • 10 pcs$1.52703
  • 100 pcs$1.25216
  • 500 pcs$0.96195
  • 1,000 pcs$0.81128

品番:
IXFP20N50P3
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 500V 8A TO220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXFP20N50P3 electronic components. IXFP20N50P3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFP20N50P3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP20N50P3 製品の属性

品番 : IXFP20N50P3
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 500V 8A TO220
シリーズ : HiPerFET™, Polar3™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 300 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 1.5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1800pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 380W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • TK380A60Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS.

  • TK72A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 72A TO-220.

  • TK14A65W5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220.