Infineon Technologies - IPG20N06S3L-35

KEY Part #: K6524127

[3936個在庫]


    品番:
    IPG20N06S3L-35
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPG20N06S3L-35 製品の属性

    品番 : IPG20N06S3L-35
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
    シリーズ : OptiMOS™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
    FET機能 : Logic Level Gate
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 55V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 20A
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 35 mOhm @ 11A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2.2V @ 15µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 23nC @ 10V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1730pF @ 25V
    パワー-最大 : 30W
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN
    サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TDSON-8-4

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