SSM6N55NU,LF 価格設定（USD） [745784個在庫]
- 1 pcs$0.04960
- 品番:
- SSM6N55NU,LF
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N55NU,LF electronic components. SSM6N55NU,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6N55NU,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM6N55NU,LF 製品の属性
品番 :
SSM6N55NU,LF
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
46 mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
2.5nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
280pF @ 15V
パワー-最大 :
1W
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-WDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-µDFN(2x2)
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