Diodes Incorporated - SBR2M30P1-7

KEY Part #: K6456817

SBR2M30P1-7 価格設定(USD) [490925個在庫]

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品番:
SBR2M30P1-7
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
DIODE SBR 30V 2A POWERDI123. Schottky Diodes & Rectifiers 2A 30V Ultralow IR
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SBR2M30P1-7 製品の属性

品番 : SBR2M30P1-7
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : DIODE SBR 30V 2A POWERDI123
シリーズ : SBR®
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Super Barrier
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 30V
電流-平均整流(Io) : 2A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 460mV @ 2A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 200µA @ 30V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : POWERDI®123
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerDI™ 123
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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