Microsemi Corporation - APT37M100B2

KEY Part #: K6396062

APT37M100B2 価格設定(USD) [4340個在庫]

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  • 10 pcs$10.15507
  • 100 pcs$8.67311

品番:
APT37M100B2
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-RF and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT37M100B2 製品の属性

品番 : APT37M100B2
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1000V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 37A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 330 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 2.5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 305nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 9835pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1135W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : T-MAX™ [B2]
パッケージ/ケース : TO-247-3 Variant

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