EPC - EPC2110ENGRT

KEY Part #: K6524902

EPC2110ENGRT 価格設定（USD） [91507個在庫]

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品番:: EPC2110ENGRT

メーカー:: EPC

詳細な説明:: GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in EPC EPC2110ENGRT electronic components. EPC2110ENGRT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2110ENGRT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

EPC2110ENGRT 製品の属性

品番 : EPC2110ENGRT

メーカー : EPC

説明 : GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE

シリーズ : eGaN®

部品ステータス : Active

FETタイプ : 2 N-Channel (Dual) Common Source

FET機能 : GaNFET (Gallium Nitride)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 120V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 3.4A

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 60 mOhm @ 4A, 5V

Vgs（th）（最大）@ Id : 2.5V @ 700µA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 0.8nC @ 5V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 80pF @ 60V

パワー-最大 : -

動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : Die

サプライヤーデバイスパッケージ : Die

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