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- 品番:
- SIA913DJ-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIA913DJ-T1-GE3 electronic components. SIA913DJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA913DJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIA913DJ-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SIA913DJ-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 P-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.5A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
70 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
12nC @ 8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
400pF @ 6V
パワー-最大 :
6.5W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
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