メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
MOSFET N-CH 700V TO247
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1700V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
20V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
1.25 Ohm @ 2.5A, 20V
Vgs(th)(最大)@ Id :
3.2V @ 500µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
21nC @ 20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
249pF @ 1000V
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247-3