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- 品番:
- SI7222DN-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI7222DN-T1-GE3 electronic components. SI7222DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7222DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI7222DN-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI7222DN-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
42 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.6V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
29nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
700pF @ 20V
パワー-最大 :
17.8W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
PowerPAK® 1212-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® 1212-8 Dual
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