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ON Semiconductor - NVJD5121NT1G

KEY Part #: K6524840

NVJD5121NT1G 価格設定（USD） [1253301個在庫]

  • 1 pcs$0.02951
  • 12,000 pcs$0.01930
品番:
NVJD5121NT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-RF and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NVJD5121NT1G electronic components. NVJD5121NT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVJD5121NT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVJD5121NT1G 製品の属性

品番 : NVJD5121NT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 295mA
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 0.9nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 26pF @ 20V
パワー-最大 : 250mW
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ : SC-88/SC70-6/SOT-363

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