IRG7CH30K10EF 価格設定（USD） [67743個在庫]
- 1 pcs$1.33091
- 品番:
- IRG7CH30K10EF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT CHIP WAFER.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, パワードライバーモジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRG7CH30K10EF electronic components. IRG7CH30K10EF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRG7CH30K10EF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRG7CH30K10EF 製品の属性
品番 :
IRG7CH30K10EF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT CHIP WAFER
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
10A
電流-パルスコレクター（Icm） :
-
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.56V @ 15V, 10A
パワー-最大 :
-
スイッチングエネルギー :
-
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
4.8nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
10ns/90ns
試験条件 :
600V, 10A, 22 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
-
動作温度 :
-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
Die
サプライヤーデバイスパッケージ :
Die
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