SSM6L09FUTE85LF 価格設定（USD） [911513個在庫]
- 1 pcs$0.04058
- 品番:
- SSM6L09FUTE85LF
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L09FUTE85LF electronic components. SSM6L09FUTE85LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6L09FUTE85LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM6L09FUTE85LF 製品の属性
品番 :
SSM6L09FUTE85LF
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
400mA, 200mA
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
700 mOhm @ 200MA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.8V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
20pF @ 5V
パワー-最大 :
300mW
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ :
US6
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- CCS020M12CM2
- GMM3X180-004X2-SMDSAM
- AON7934_101
- AON6884L
- BUK9MJJ-65PLL,518
- CTLDM8120-M832DS TR
- 2N7002BKS/ZLX
- SI5933DC-T1-E3
- SI1023X-T1-E3
- IRF7756TR
- AO4807L
- AUIRF7313Q
- BSL308CL6327HTSA1
- SI5975DC-T1-GE3
- SI4913DY-T1-GE3
- IRFH7911TR2PBF
- NTLUD3191PZTBG
- GWM220-004P3-SMD SAM
- SI9936DY
- TPCP8203(TE85L,F)
- IRF7309QTRPBF
- IRF7306QTRPBF
- APTC80AM75SCG
- SI7844DP-T1-E3
- SI5943DU-T1-E3
- SI5504DC-T1-E3
- SI4992EY-T1-E3
- SI4330DY-T1-E3
- SI3911DV-T1-E3
- FDW2501N
- IRF7905PBF
- FDC6000NZ
- IRF7901D1TR
- NDS9953A
- STS1DNF20
- SQ3585EV-T1_GE3
- SQJ260EP-T1_GE3
- SI4228DY-T1-E3
- IRF7309TRPBF
- SI1034CX-T1-GE3