Infineon Technologies - IPD053N08N3GBTMA1

KEY Part #: K6404196

[2095個在庫]


    品番:
    IPD053N08N3GBTMA1
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPD053N08N3GBTMA1 製品の属性

    品番 : IPD053N08N3GBTMA1
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
    シリーズ : OptiMOS™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 80V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 90A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 5.3 mOhm @ 90A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 90µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 69nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4750pF @ 40V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 150W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO252-3
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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