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Microsemi Corporation - JANTXV1N6641US

KEY Part #: K6430818

JANTXV1N6641US 価格設定（USD） [5618個在庫]

  • 1 pcs$7.37125
  • 113 pcs$7.33457
品番:
JANTXV1N6641US
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 50V 300MA D-MELF. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6641US electronic components. JANTXV1N6641US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6641US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N6641US 製品の属性

品番 : JANTXV1N6641US
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 50V 300MA D-MELF
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/609
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 50V
電流-平均整流（Io） : 300mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.1V @ 200mA
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 5ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100nA @ 50V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, D
サプライヤーデバイスパッケージ : D-5D
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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