Infineon Technologies - IRF7509TR

KEY Part #: K6524756

[3726個在庫]


    品番:
    IRF7509TR
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, パワードライバーモジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IRF7509TR electronic components. IRF7509TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7509TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF7509TR 製品の属性

    品番 : IRF7509TR
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
    シリーズ : HEXFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N and P-Channel
    FET機能 : Logic Level Gate
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.7A, 2A
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 110 mOhm @ 1.4A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 12nC @ 10V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 210pF @ 25V
    パワー-最大 : 1.25W
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
    サプライヤーデバイスパッケージ : Micro8™

    あなたも興味があるかもしれません
    • IRF5852TR

      Infineon Technologies

      MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP.

    • IRF5850TR

      Infineon Technologies

      MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP.

    • IRF5851TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP.

    • IRF5810TR

      Infineon Technologies

      MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

    • IRF5852

      Infineon Technologies

      MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP.

    • IRF5810

      Infineon Technologies

      MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP.