RN2511(TE85L,F) 価格設定（USD） [1060332個在庫]
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- 品番:
- RN2511(TE85L,F)
- 詳細な説明:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN2511(TE85L,F) electronic components. RN2511(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN2511(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RN2511(TE85L,F) 製品の属性
品番 :
RN2511(TE85L,F)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
電流-コレクター（Ic）（最大） :
100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
50V
抵抗-ベース（R1） :
10 kOhms
抵抗-エミッターベース（R2） :
-
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
120 @ 1mA, 5V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
100nA (ICBO)
頻度-遷移 :
200MHz
パワー-最大 :
300mW
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SC-74A, SOT-753
サプライヤーデバイスパッケージ :
SMV
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