現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. ディスクリート半導体製品
  4. ダイオード-整流器-シングル
  5. JANS1N5809

Microsemi Corporation - JANS1N5809

KEY Part #: K6441994

JANS1N5809 価格設定（USD） [1266個在庫]

  • 1 pcs$34.20081
  • 10 pcs$32.12615
  • 25 pcs$30.67546
品番:
JANS1N5809
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JANS1N5809 electronic components. JANS1N5809 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANS1N5809, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANS1N5809 製品の属性

品番 : JANS1N5809
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/477
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 100V
電流-平均整流（Io） : 3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 875mV @ 4A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 30ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 100V
静電容量@ Vr、F : 60pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : B, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : -
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

最新ニュース

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
あなたも興味があるかもしれません
  • VS-E4PU6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • VS-30APF10-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247. Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3

  • VS-60APU04-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 400V Ultrafast 50ns FRED Pt

  • VS-C4PH3006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 15A TO247AD. Rectifiers 600V 2x15A FRED Pt TO-247 LL 3L

  • VS-C4PH3006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 15A TO247AD. Rectifiers 600V 2x15A FRED Pt TO-247 LL 3L

  • 1N4148-A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35.

ホットパーツ