IXYS - IXFT120N15P

KEY Part #: K6416537

IXFT120N15P 価格設定(USD) [15105個在庫]

  • 1 pcs$3.01617
  • 30 pcs$3.00117

品番:
IXFT120N15P
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 150V 120A TO-268.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR-モジュール and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXFT120N15P electronic components. IXFT120N15P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT120N15P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT120N15P 製品の属性

品番 : IXFT120N15P
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 150V 120A TO-268
シリーズ : PolarHT™ HiPerFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 150V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 120A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 16 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 4mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4900pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 600W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-268
パッケージ/ケース : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

あなたも興味があるかもしれません
  • SQ3426EV-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP.

  • BS270

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92.

  • IRLR8743TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 160A DPAK.

  • TK35A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 35A TO-220.

  • IRFI4321PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

  • TK31A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS.