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Microsemi Corporation - APT43F60B2

KEY Part #: K6405459

APT43F60B2 価格設定（USD） [1658個在庫]

  • 60 pcs$5.73557
品番:
APT43F60B2
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APT43F60B2 electronic components. APT43F60B2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT43F60B2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT43F60B2 製品の属性

品番 : APT43F60B2
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
シリーズ : POWER MOS 8™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 45A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 150 mOhm @ 21A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 2.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 215nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 8590pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 780W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : T-MAX™ [B2]
パッケージ/ケース : TO-247-3 Variant

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