VS-GB100TH120N 価格設定（USD） [261個在庫]
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- 品番:
- VS-GB100TH120N
- 詳細な説明:
- IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
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- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB100TH120N electronic components. VS-GB100TH120N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-GB100TH120N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-GB100TH120N 製品の属性
品番 :
VS-GB100TH120N
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
-
構成 :
Half Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
200A
パワー-最大 :
833W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.35V @ 15V, 100A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
5mA
入力容量（Cies）@ Vce :
8.58nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
No
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Double INT-A-PAK (3 + 4)
サプライヤーデバイスパッケージ :
Double INT-A-PAK
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