Infineon Technologies - IPA80R310CEXKSA2

KEY Part #: K6417238

IPA80R310CEXKSA2 価格設定(USD) [27344個在庫]

  • 1 pcs$1.44109
  • 10 pcs$1.30315
  • 100 pcs$0.99341
  • 500 pcs$0.77265
  • 1,000 pcs$0.64019

品番:
IPA80R310CEXKSA2
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 800V TO-220-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, パワードライバーモジュール, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPA80R310CEXKSA2 electronic components. IPA80R310CEXKSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPA80R310CEXKSA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA80R310CEXKSA2 製品の属性

品番 : IPA80R310CEXKSA2
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 800V TO-220-3
シリーズ : CoolMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 16.7A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 310 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.9V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 91nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2320pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 35W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-FP
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVP2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3.

  • IRLR2908TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IRFR3806TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK.

  • AUIRFS3004TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 340A D2PAK.

  • FDD8447L

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK.

  • FQD10N20CTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK.