メーカー :
Microsemi Corporation
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
25A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
20V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
175 mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th)(最大)@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
72nC @ 20V
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)