Vishay Siliconix - SI2318DS-T1-E3

KEY Part #: K6419928

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品番:
SI2318DS-T1-E3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2318DS-T1-E3 製品の属性

品番 : SI2318DS-T1-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 45 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 540pF @ 20V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 750mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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