Toshiba Semiconductor and Storage - TK14A55D(STA4,Q,M)

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TK14A55D(STA4,Q,M) 価格設定(USD) [36651個在庫]

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品番:
TK14A55D(STA4,Q,M)
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
MOSFET N-CH 550V 14A TO-220SIS.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK14A55D(STA4,Q,M) 製品の属性

品番 : TK14A55D(STA4,Q,M)
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : MOSFET N-CH 550V 14A TO-220SIS
シリーズ : π-MOSVII
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 550V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 14A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 370 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2300pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 50W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220SIS
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

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