Diodes Incorporated - RS3GB-13-F

KEY Part #: K6449392

RS3GB-13-F 価格設定(USD) [548511個在庫]

  • 1 pcs$0.06777
  • 3,000 pcs$0.06743
  • 6,000 pcs$0.06308
  • 15,000 pcs$0.05873
  • 30,000 pcs$0.05569

品番:
RS3GB-13-F
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 400V 3A SMB. Rectifiers 3.0A 400V
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-トライアック and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated RS3GB-13-F electronic components. RS3GB-13-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS3GB-13-F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS3GB-13-F 製品の属性

品番 : RS3GB-13-F
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : DIODE GEN PURP 400V 3A SMB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 400V
電流-平均整流(Io) : 3A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.3V @ 3A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 150ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 400V
静電容量@ Vr、F : 50pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AA, SMB
サプライヤーデバイスパッケージ : SMB
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • BAT750-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 40V 750MA SOT23.

  • BAT54WT-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • BAS16WE6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323.

  • VS-4EWH02FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK. Rectifiers 4A 200V Hyperfast 23ns FRED Pt

  • V30120S-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO220AB.

  • RS07K-M-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GP 800V 500MA DO219AB. Rectifiers SWITCHING DIODE GENPURP SMF DO219e3M