IRL40B209 価格設定（USD） [28253個在庫]
- 1 pcs$1.40143
- 10 pcs$1.25115
- 100 pcs$0.97317
- 500 pcs$0.78803
- 1,000 pcs$0.66461
- 品番:
- IRL40B209
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 40V 195A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRL40B209 electronic components. IRL40B209 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL40B209, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRL40B209 製品の属性
品番 :
IRL40B209
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 40V 195A
シリーズ :
HEXFET®, StrongIRFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
195A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.25 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
270nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
15140pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
375W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- PHD66NQ03LT,118
- BSC079N03SG
- AO4443L
- FQPF10N60C_F105
- NDD60N745U1T4G
- SIRA34DP-T1-GE3
- JANTXV2N6764T1
- RJK6013DPE-00#J3
- SUP70N03-09BP-E3
- AON7432
- SUP45N03-13L-E3
- IPD60R450E6BTMA1
- IPB80N04S2L03ATMA1
- IRLR8503TRLPBF
- IRFR3710ZTRRPBF
- IXFX180N085
- SPD08P06P
- IRLM110ATF
- IRF644NPBF
- IRFC4227EB
- FDMC0310AS-F127
- BSC205N10LS G
- IRLZ44ZL
- IXTP76N075T
- IPW65R080CFDFKSA1
- IRF3315STRR
- IRL630S
- BUK95150-55A,127
- IRF640
- SIHB21N65EF-GE3
- IPP076N15N5AKSA1
- IPP60R280P7XKSA1
- SIE810DF-T1-E3
- IRF100S201
- IPI072N10N3GXKSA1
- NVMFS5C406NT1G
- IPB80N04S304ATMA1
- SIPC08N60C3X1SA1
- BUK7Y53-100B,115
- SIUD406ED-T1-GE3