XN0NE9200L 価格設定（USD） [374669個在庫]
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- 品番:
- XN0NE9200L
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 12V 1.2A MINI-5P.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-JFET and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Panasonic Electronic Components XN0NE9200L electronic components. XN0NE9200L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for XN0NE9200L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
XN0NE9200L 製品の属性
品番 :
XN0NE9200L
メーカー :
Panasonic Electronic Components
説明 :
MOSFET P-CH 12V 1.2A MINI-5P
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
450 mOhm @ 800mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.3V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
±15V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
FET機能 :
Schottky Diode (Isolated)
消費電力（最大） :
600mW (Ta)
動作温度 :
125°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
Mini5-G1
パッケージ/ケース :
SC-74A, SOT-753
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