IPP80N06S2L11AKSA2 価格設定（USD） [92356個在庫]
- 1 pcs$0.42337
- 500 pcs$0.31741
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPP80N06S2L11AKSA2 electronic components. IPP80N06S2L11AKSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP80N06S2L11AKSA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPP80N06S2L11AKSA2 製品の属性
品番 :
IPP80N06S2L11AKSA2
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
80A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
10.7 mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 93µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
80nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2075pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
158W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO220-3-1
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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