IPC60R600E6X1SA1 価格設定（USD） [134865個在庫]
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- 21,411 pcs$0.27426
- 品番:
- IPC60R600E6X1SA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH BARE DIE.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPC60R600E6X1SA1 electronic components. IPC60R600E6X1SA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPC60R600E6X1SA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPC60R600E6X1SA1 製品の属性
品番 :
IPC60R600E6X1SA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH BARE DIE
シリーズ :
*
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
-
技術 :
-
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
-
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
-
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
-
動作温度 :
-
取付タイプ :
-
サプライヤーデバイスパッケージ :
-
パッケージ/ケース :
-
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