SISH410DN-T1-GE3 価格設定（USD） [183360個在庫]
- 1 pcs$0.20172
- 品番:
- SISH410DN-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SISH410DN-T1-GE3 electronic components. SISH410DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISH410DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SISH410DN-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SISH410DN-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
22A (Ta), 35A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
41nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1600pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.8W (Ta), 52W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® 1212-8SH
パッケージ/ケース :
PowerPAK® 1212-8SH
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