ON Semiconductor - NVTFS5C658NLWFTAG

KEY Part #: K6401386

NVTFS5C658NLWFTAG 価格設定(USD) [3068個在庫]

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品番:
NVTFS5C658NLWFTAG
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVTFS5C658NLWFTAG 製品の属性

品番 : NVTFS5C658NLWFTAG
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 109A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 12nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1935pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 114W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-WDFN (3.3x3.3)
パッケージ/ケース : 8-PowerWDFN

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