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Microsemi Corporation - APT38F80B2

KEY Part #: K6396480

APT38F80B2 価格設定（USD） [5675個在庫]

  • 1 pcs$8.43744
  • 30 pcs$8.39546
品番:
APT38F80B2
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation APT38F80B2 electronic components. APT38F80B2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT38F80B2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT38F80B2 製品の属性

品番 : APT38F80B2
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
シリーズ : POWER MOS 8™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 41A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 240 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 2.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 8070pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 1040W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : T-MAX™ [B2]
パッケージ/ケース : TO-247-3 Variant

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