SQS407ENW-T1_GE3 価格設定（USD） [208654個在庫]
- 1 pcs$0.17727
- 品番:
- SQS407ENW-T1_GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 30V PPAK 1212-8W.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
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- 競争上の優位性:
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SQS407ENW-T1_GE3 製品の属性
品番 :
SQS407ENW-T1_GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET P-CH 30V PPAK 1212-8W
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
16A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
10.8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
77nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4572pF @ 20V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
62.5W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® 1212-8W
パッケージ/ケース :
PowerPAK® 1212-8W
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