説明 :
MOSFET P-CH 12V 8.2A 6DFN
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
8.2A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
19 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
900mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
100nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
2875pF @ 6V
消費電力(最大) :
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
DFN2020MD-6
パッケージ/ケース :
6-UDFN Exposed Pad