Toshiba Semiconductor and Storage - T2N7002BK,LM

KEY Part #: K6418860

T2N7002BK,LM 価格設定(USD) [3334097個在庫]

  • 1 pcs$0.01227
  • 3,000 pcs$0.01221

品番:
T2N7002BK,LM
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 0.4A SOT23.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage T2N7002BK,LM electronic components. T2N7002BK,LM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for T2N7002BK,LM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

T2N7002BK,LM 製品の属性

品番 : T2N7002BK,LM
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : MOSFET N-CH 60V 0.4A SOT23
シリーズ : U-MOSVII-H
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 400mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 0.6nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 40pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 320mW (Ta)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23-3
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

あなたも興味があるかもしれません
  • CPH6350-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 6A CPH6.

  • FQD2N100TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.

  • IXTY3N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK.

  • TK100S04N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • FQD11P06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK.

  • IRFR5505TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.