IRG8CH37K10F 価格設定（USD） [25479個在庫]
- 1 pcs$2.85133
- 品番:
- IRG8CH37K10F
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT 1200V 100A DIE.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
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IRG8CH37K10F 製品の属性
品番 :
IRG8CH37K10F
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT 1200V 100A DIE
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
-
電流-パルスコレクター（Icm） :
-
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2V @ 15V, 35A
パワー-最大 :
-
スイッチングエネルギー :
-
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
210nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
35ns/190ns
試験条件 :
600V, 35A, 5 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
-
動作温度 :
-
取付タイプ :
-
パッケージ/ケース :
-
サプライヤーデバイスパッケージ :
-
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