SIHA18N60E-E3 価格設定（USD） [25834個在庫]
- 1 pcs$1.59533
- 品番:
- SIHA18N60E-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-DIAC、SIDAC and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIHA18N60E-E3 electronic components. SIHA18N60E-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHA18N60E-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIHA18N60E-E3 製品の属性
品番 :
SIHA18N60E-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
シリーズ :
E
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
18A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
202 mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
92nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1640pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
34W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220 Full Pack
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
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