Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-10ETF06PBF

KEY Part #: K6445465

VS-10ETF06PBF 価格設定(USD) [2098個在庫]

  • 1 pcs$1.27803
  • 10 pcs$1.08790
  • 25 pcs$1.02618
  • 100 pcs$0.87429
  • 250 pcs$0.82095
  • 500 pcs$0.71832
  • 1,000 pcs$0.59518
  • 2,500 pcs$0.55413

品番:
VS-10ETF06PBF
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-10ETF06PBF electronic components. VS-10ETF06PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-10ETF06PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-10ETF06PBF 製品の属性

品番 : VS-10ETF06PBF
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC
シリーズ : -
部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 10A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.2V @ 10A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 200ns
電流-Vrでの逆漏れ : -
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AC
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.