ON Semiconductor - NVMFS6B03NWFT3G

KEY Part #: K6402193

NVMFS6B03NWFT3G 価格設定(USD) [2788個在庫]

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品番:
NVMFS6B03NWFT3G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS6B03NWFT3G 製品の属性

品番 : NVMFS6B03NWFT3G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs(最大) : ±16V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4200pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.9W (Ta), 198W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

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