Vishay Semiconductor Diodes Division - BAS21-E3-08

KEY Part #: K6454792

BAS21-E3-08 価格設定(USD) [2174410個在庫]

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品番:
BAS21-E3-08
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250 Volt Fast Switch
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
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ISO-13485
ISO-14001
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ISO-45001-2018

BAS21-E3-08 製品の属性

品番 : BAS21-E3-08
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io) : 200mA (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.25V @ 200mA
速度 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間(trr) : 50ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100nA @ 200V
静電容量@ Vr、F : 5pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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