IPSA70R2K0P7SAKMA1 価格設定（USD） [131719個在庫]
- 1 pcs$0.28080
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET TO251-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPSA70R2K0P7SAKMA1 electronic components. IPSA70R2K0P7SAKMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPSA70R2K0P7SAKMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPSA70R2K0P7SAKMA1 製品の属性
品番 :
IPSA70R2K0P7SAKMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET TO251-3
シリーズ :
CoolMOS™ P7
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
700V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3A
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 30µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
3.8nC @ 400V
Vgs（最大） :
±16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
130pF @ 400V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
17.6W (Tc)
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO251-3-347
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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