RN2110MFV,L3F 価格設定（USD） [2968934個在庫]
- 1 pcs$0.01246
- 品番:
- RN2110MFV,L3F
- 詳細な説明:
- X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, パワードライバーモジュール and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN2110MFV,L3F electronic components. RN2110MFV,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN2110MFV,L3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RN2110MFV,L3F 製品の属性
品番 :
RN2110MFV,L3F
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
PNP - Pre-Biased
電流-コレクター（Ic）（最大） :
100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
50V
抵抗-ベース（R1） :
4.7 kOhms
抵抗-エミッターベース（R2） :
-
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
120 @ 1mA, 5V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
100nA (ICBO)
頻度-遷移 :
-
パワー-最大 :
150mW
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-723
サプライヤーデバイスパッケージ :
VESM
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